华盛顿州西雅图的移动半导体公司宣布了新一代超低泄漏(ULL)和超低功耗(ULP)SRAM存储器编译器，可显着提高性能/功耗比用于Edge AI芯片
移动半导体公司首席执行官兼创始人Cameron Fisher表示：“利用我们在GF的22FDX平台上开发成功的编译器所获得的专业知识，我们完全希望这些新一代的超低泄漏和超低功耗存储器编译器能够达到并超过我们的客户对Edge AI的期望。”
这些基于GF 22FDX平台的新型ULL和ULP存储器编译器在业界是独一无二的，并具有客户期望移动半导体提供的相同高质量设计和测试。漏电数在纳安级范围内，使用Mobile Semiconductor的编译器设计的存储器在业界处于领先地位。
ULL和ULP编译器提高了额定功率的性能，使其成为Edge AI和机器学习应用的理想选择，这些应用以每瓦特级运算(TOPS / WATT)进行测量，并具有新的电源模式，从而为工程师提供了最大的灵活性。
上图显示了针对Edge应用程序优化的ULP / ULL编译器与针对基于云的服务器优化的超高速内存编译器之间的相对功耗与性能之间的关系。
费舍尔继续说：“移动半导体仍然是提供低功耗解决方案的领导者，这些编译器消除了工程师在过去的设计中所遇到的障碍。几乎所有为Edge AI，机器学习和IoT开发的边缘产品都将对功率提出新的和更严格的要求我们认为，移动半导体将满足该市场的低功耗需求。”